该公司宣布 ,SK Hynix已开发了新的4D Nand Flash,并拥有238层巨大的层,为快速而宽敞的新SSD铺平了道路。
新的内存芯片在圣塔克拉拉(Santa Clara)的闪存峰会上亮相 ,被描述为“世界的第一个238层512GB TLC 4D NAND ”,预计将在2023年上半年进行质量生产 。
与以前的176层模型相比,据说新的NAND可提供50%的数据传输速度(2.4GB/sec) ,数据读取的能源效率提高了21%,总体生产率提高了34%。
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238层产品的到来将使SK Hynix抢夺了World&Rsquo'Rsquo os trouval Manducturer Micron的最高NAND堆栈 ,其最新型号的最新型号具有232层。
238层4D NAND FLASH
NAND Flash是一种非易失性内存,它具有各种存储设备,从内存卡 ,USB棒和便携式驱动器到服务器和客户端设备的SSD 。
NAND Flash开发的总体趋势是降低每项容量成本并增加存储密度,从而有效地消除了传统硬盘驱动器的最后剩余用例。SK Hynix的238层产品的到来标志着这一旅程的又一步。
与市场上的其他NAND产品不同,该公司的最新芯片范围具有“ 4D”架构 ,因此逻辑电路放在存储单元的下方 。SK Hynix表示,这种设计允许“每单位较小的单元区域较小,从而提高生产效率”。
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SK Hynix的NAND Development负责人Jungdal Choi说:“ SK Hynix通过其4D NAND技术引入238层产品,从而确保了全球顶级竞争力 ,以透视成本,性能和质量。 ”
也许与期望相反,新的238层NAND将首先进入客户端设备 ,这将使内容创建者和PC游戏玩家引起兴奋 。直到后来,新芯片才会进入智能手机和大容量服务器。
SK Hynix还透露它正在开发1TB 238层产品,该产品将在明年到达时最新芯片的存储密度增加一倍。Choi补充说:“我们将继续创新以寻找技术挑战的突破 。”
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New Nand Flash为超级便宜,超大的SSD铺平了道路
文章最后更新时间2025年06月03日,若文章内容或图片失效,请留言反馈!
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