基于NAND的存储设备是一个激烈的竞争部门 ,自2002年以来,三星一直在该领域保持领先,但其竞争对手正在发展 。
这家韩国电子巨头宣布了计划 ,计划开始大规模生产其最新的290层垂直垂直(V9)NAND芯片,该芯片针对AI和云设备以及大型企业服务器。这些利用三星的双堆栈技术,而不是通常使用的三堆栈方法。
但是,其他公司正在关闭 。SK Hynix是世界第二大记忆芯片制造商和三星的Artrival ,打算在明年年初推出其321层NAND Tech,而中国闪光记忆专家长扬特兹(Yangtze Memory Technologies)表示,它计划在今年晚些时候推出300层的芯片。
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鸡游戏
随着战斗的升温,三星已经超越了即将来临的V9发射,而行业内部人士表明 ,预计明年将亮相430层430层的第十代(V10)NAND芯片。与V9不同,这将使用三星的三堆技术。
随着对高性能和大容量存储设备的需求在AI时代增长,对NAND至高无上的积极推动 。高密度的NAND芯片回答了需求 ,同时还增强了5G智能手机的功能。
《韩国经济日报》说,主要的芯片制造商“正在“从事一场鸡游戏,以开发先进的芯片堆叠技术,以降低成本并提高性能。 ”它指出 ,三星此前曾宣布计划到2030年开发超过1,000层的NAND芯片 。
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正文
“鸡肉游戏”:三星将推出新的存储芯片,该芯片可能使100TB SSDS MAPSTREAM—430层NAND将在NAND至高无上的比赛中超越比赛
文章最后更新时间2025年05月26日,若文章内容或图片失效,请留言反馈!
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